Siliciumkarbid-teknologien (SiC) er lige så stille og roligt ved at æde sig ind på dét marked, som tidligere har været forbeholdt rene siliciumbaserede effektkredsløb som IGBT’er og lignende. Det sker af flere gode grunde, hvoraf én af de væsentligste er de høje hastigheder, SiC-komponenterne kan arbejde ved. Høje hastigheder medfører betydeligt mindre induktive og kapacitive komponenter i switchede kredsløb, og det fænomen gælder hele vejen igennem designet.

Micro Power Direct har set et marked for DC/DC-konvertere, der opfylder behovet for de asymmetriske +/- spændinger, som gatedriverne i SiC-effektkredsløb har brug for. Gennem sin danske repræsentant, RepComp, leverer Micro Power Direct nu den højeffektive og støjdæmpende MSCHI-serie, der konverterer en single-ended spænding til et asymmetrisk +/- niveau til gatedriverne i de efterfølgende SiC-FETs.

Tilslutning af MSCHI-konverterne er særdeles enkelt. Det kræver blot en kondensator på indgangen og to kondensatorer til udgangene – begge low-ESR typer – med kapacitanser som efter MSCHI’s datablade blot skal dimensioneres til Class A eller Class B for støjundertrykkelse. EMC-tilpasningen skal forhindre effektkredsløbet i at fejltrigge.

De kun 19,50mm x 9,80mm x 12,50mm ”store” DC/DC-konvertere i MSCHI-familien fås i flere versioner til 5V, 12v, 15V eller 24V på indgangen og spændinger på mellem +15V og +20V på den positive udgang samt mellem -2,5V og -5,0V på den negative. Afhængigt af type kan man vælge strømme op til +/- 120mA, hvilket rækker rigeligt til de fleste gate-drivere i typiske applikationer.

Effektivitet og maksimaleffekt følger en særdeles moderat derating, og op til +85C kører MSCHI-serien helt uden derating. Montage sker leaded med MSCHI-serien fem pins – og skulle man ikke være kommet helt til SiC-effekttrin endnu, så leverer Micro Power Direct også typer til styring af IGBT-kredsløb.

RepComp ApS
Tlf.: 70 26 74 20
E-22, hal C, stand nr. 4028